周一，台积电（TSM）(TSM.US)涨逾3%，报425.84美元。消息面上，据报道，三星电子将采用台积电（TSM）的3纳米工艺为英伟达（NVDA）的下一代定制高带宽内存(HBM)生产基础芯片，这将是三星首次与台积电（TSM）在HBM制造阶段展开合作。
消息人士称，英伟达（NVDA）已要求三星、SK海力士（SKHY）和美光科技（MU）采用台积电（TSM）的工艺制造NVHBM基础芯片，并采用第六代DRAM技术制造核心芯片。三星据悉在内部审查后接受了英伟达（NVDA）的要求，但计划保留其内部生产模式，用于生产标准HBM和为其他客户定制的产品。
这意味着三星与台积电（TSM）将联合开发3纳米制程的基片，最终目标是生产标准化产品，从而减少NVHBM的质量验证步骤。
英伟达（NVDA）此前表示，其自主研发的解决方案NVHBM可提供比标准HBM4E高出30%的内存带宽，同时功耗降低15%。然而，为了实现这些优势，英伟达（NVDA）必须确保其内存供应商之间的标准化。
10月15日，台积电（TSM）公布第三季度营收新台币1.49424万亿元、同比增长50.9%，净利润同比增长68.7%；公司将2026年美元营收增速预期上修至约44%，并表示需求仍高于供给。
