10月21日，据财闻海外资讯，已被英伟达（NVDA）(NVDA.US)实质收购的AI半导体（881121）企业Groq，正计划在下一代芯片采用DRAM三维堆叠封装技术，以DRAM替代传统SRAM，旨在大幅提升芯片存储容量。
据悉，Groq准备采用的方案为3DS(3D Stacked Memory，3D堆叠内存)。该方案利用硅通孔TSV垂直互连DRAM芯片，虽与HBM同样使用TSV技术，但HBM重点追求数据传输速率，而3DS保留原有DRAM接口，将重心放在扩容上面。
半导体（881121）业内人士证实，Groq计划在下一代芯片导入3D封装，采用堆叠DRAM而非传统SRAM。行业普遍认为，SRAM读取速度优异但容量有限，DRAM速度相对逊色却更适合实现大容量设计。市场正向着更大芯片方向演进，Groq因此选择在容量层面具备优势的DRAM。
Groq是2016年由谷歌TPU(张量处理单元)核心设计师乔纳森・罗斯创立的AI半导体（881121）初创公司，已于去年被英伟达（NVDA）间接收购。
