三星电子、SK 海力士升级中国工厂,生产更先进闪存芯片利好

2026-10-21 17:42:17
来源:IT之家
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问财摘要

1、三星电子和SK海力士正在升级中国工厂,以生产更先进的闪存芯片。然而,由于美国限制芯片制造设备出口,他们面临如何分配在华业务投资规模的难题。他们需要每年向美国申请许可证才能在中国工厂安装刻蚀设备等美国制造产品。美国商务部工业与安全局也表示无意批准这些外国芯片制造商升级中国工厂的技术。这削弱了他们的扩产能力,导致部分市场份额让给长江存储。 2、三星电子表示正在推进相关升级工作,并与美政府保持密切沟通。SK海力士表示一直在和美国政府协商,计划在中国东北部的大连工厂安装设备。 3、两家公司正努力在中国工厂生产200层以上的NAND闪存芯片。其中,三星电子计划将西安工厂改造为生产286层V9NAND闪存芯片,目标今年12月实现每月5000片晶圆产量,并在2027年12月将月产量提升至4万片。SK海力士计划将大连工厂的NAND产线升级为240层以上产品,该工厂目前生产192层产品。
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IT之家10月21日消息,据路透社今日援引知情人士消息,三星电子、SK海力士(SKHY)正在升级中国工厂,以生产更先进的闪存芯片。

IT之家从原报道获悉,美国自2022年起限制部分芯片制造设备出口,因此这两家韩国半导体(881121)巨头,一直面临如何分配在华业务投资规模的棘手问题。

三星电子和SK海力士(SKHY)每年需要向美国申请许可证,才能在中国工厂安装刻蚀设备等美国制造产品。美国商务部工业与安全局还在去年表示,无意批准这些外国芯片制造商升级中国工厂的技术。这种监管限制削弱了他们的扩产能力,也导致部分市场份额让给长江存储。

三星电子对此回应称,公司正推进相关升级工作,并与美政府保持密切沟通。SK海力士(SKHY)则表示,公司一直在和美国政府协商,计划在中国东北部的大连工厂安装设备。

知情人士表示,两家公司正努力在中国工厂生产200层以上的NAND闪存芯片。其中三星电子计划将西安工厂改造为生产286层V9NAND闪存芯片,目标今年12月实现每月5000片晶圆产量,并在2027年12月将月产量提升至4万片。

另据三名知情人士透露,SK海力士(SKHY)计划将大连工厂的NAND产线升级为240层以上产品,该工厂目前生产192层产品。

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