IT之家10月26日消息，韩媒ZDNET Korea当地时间今日报道称，三星电子、SK海力士（SKHY）两家DRAM制造商计划在2027年第2季度实现八层堆叠(8Hi)HBM4内存堆栈的全面量产并向NVIDIA(英伟达（NVDA）)出货。
三星电子、SK海力士（SKHY）当前产出的HBM4内存主要为容量更大的12Hi版本。但这也意味着单一堆栈中包含更多DRAM Die，同等带宽成本更高、堆栈更少，且堆叠更高也意味着良率的下滑。
报道宣称英伟达（NVDA）在2026Q3就8Hi HBM供应事宜同两大原厂进行了认真讨论。这一计划变更主要是因为英伟达（NVDA）考虑在Rubin Ultra和标准Rubin中应用8Hi HBM4(E)，优化整体供应。
IT之家注意到，英伟达（NVDA）已将HGX Vera Rubin NVL8和HGX Rubin NVL8的规格调整为系统合计2TB HBM4，这应该对应着8Hi32GB的HBM4堆栈。
