10月27日报道，本周，随着芯片巨头密集迎来财报披露期，存储芯片（886042）行业迎密集看多。
韩国两大芯片巨头SK海力士（SKHY）、三星电子将分别于本周三、周四公布财报，英特尔（INTC）(INTC.US)、闪迪（SNDK）(SNDK.US)也将于当地时间10月29日美股盘后披露业绩。
加拿大皇家银行（RY）资本市场(RBC Capital)日前发布研报称，随着人工智能（885728）(AI)需求持续超过供给，高带宽内存(HBM)价格上涨有望支撑整体DRAM平均销售价格(ASP)，SK海力士（SKHY）将持续受益于存储芯片（886042）上行周期（883436）。
RBC预计，SK海力士（SKHY）第三季度业绩将略高于市场共识预期，营收料将达到101.2万亿韩元，调整后每份美国存托凭证(ADR)收益为8917韩元(约合6.72美元)。强大的定价能力有望对冲汇率带来的不利因素：三季度DRAM合约价环比上涨20%，四季度可能还会再涨15%。
RBC认为，DRAM上行周期（883436）在已持续14个季度的基础上，还将再持续五个季度，供应紧张局面预计将持续到2027年。报告还指出，2027年HBM价格可能上涨80%到100%，这将支撑整体DRAM平均售价。RBC重申了对SK海力士（SKHY）“跑赢大盘”的评级，目标价为200美元，较该股最新收盘价高出约40%。
除RBC外，10月27日，韩国央行官员表示，受高带宽内存(HBM)生产效应影响，预计明年芯片产量将上升，价格将继续上涨，但涨幅将放缓。
摩根士丹利（MS）(MS.US)首席股市策略师迈克.威尔逊(Mike Wilson)日前也表示，该板块的支撑位可能远低于当前水平，但同时指出半导体（881121）股票面临的抛压可能会在下个月有所缓解。
野村全球存储器研究团队在最新报告中也指出，2027年存储器供应量和价格已于2026年10月通过长期协议完成锁定，且价格出现反弹。更关键的是合同中的违约条款：取消订单或压价的罚金可达年度需求价值的50%—100%。这意味着，即便某家巨头事后判断投资回报不划算，退出的即时代价也极高——违约成本本身构成了需求的“粘性”。
随着机构密集看好，全球芯片巨头大幅反弹。
日韩芯片巨头集体暴涨。SK海力士（SKHY）(SKHY.US)涨逾7%，三星电子涨近5%。铠侠股价上涨6.8%，软银集团上涨6.0%，爱德万测试上涨7.3%。
A股方面，10月27日，长鑫科技（688825）(688825.SH)持续拉升，盘中一度涨超4%，市值重返3万亿元。当日早盘，芯片产业链震荡反弹，天德钰（688252）(688252.SH)、中晶科技（003026）(003026.SZ)涨停，达瑞电子（300976）(300976.SZ)、晶合集成（HK2249）(688249.SH)、芯动联科（688582）(688582.SH)、波长光电（301421）(301421.SZ)等跟涨。
隔夜美股，费城半导体（SOX）指数收涨2.82%。Tower半导体（TSEM）(TSEM.US)涨6.68%，arm holdings（ARM）(ARM.US)涨6.19%，德州仪器（TXN）(TXN.US)涨4.72%，英特尔（INTC）(INTC.US)涨4.04%。存储板块整体上涨。Rambus（RMBS）(RMBS.US)涨5.45%，SK海力士（SKHY）涨4.09%，西部数据（WDC）(WDC.US)涨3.63%，美光科技（MU）(MU.US)涨2.98%，希捷科技（STX）(STX.US)涨2.18%。
