DEEPTOPIC · 专题研究

三星+SK海力士10年2000万亿韩元投资改写存储供给格局

6月29日,三星与SK海力士在青瓦台联合公布10年2000万亿韩元(约1.3万亿美元)本土投资计划,两大巨头各投600万亿在光州原空军基地建设4-5座晶圆厂——这是韩国"区域均衡"战略对产业资本的一次历史性再配置,落地可行性面临三重约束。

核心结论:6月29日,韩国总统李在明在青瓦台主持国家级汇报会,三星电子会长李在镕与SK集团会长崔泰源共同出席,正式公布10年2000万亿韩元(约1.3万亿美元)本土投资计划。两大巨头各投约600万亿韩元,在光州原空军基地分别建设4-5座前道晶圆厂,规模远超此前京畿道龙仁集群。这笔"政治产能"的落地节奏,将直接影响2028年后全球存储芯片供给格局。

相关标的:A股十余只"HBM概念"标的中,赛腾股份通过并购日本OPTIMA,其HBM缺陷检测设备已批量交付三星;中微公司拓荆科技等国产设备龙头正加速推进HBM工艺设备研发与客户导入。短期交易需区分"实质订单"与"概念情绪"。

本文看点:三星+SK海力士合计2000万亿中,半导体1200万亿投向光州意味着什么?在几乎零半导体基础的光州建8-10座晶圆厂,三重基础设施瓶颈能否突破?A股哪些标的直接或间接受益于这场韩国史上最大规模半导体投资?

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一、韩国总统亲自站台的"企业发布"

今日(6月29日)的青瓦台汇报会,韩国总统李在明亲自主持,三星电子会长李在镕与SK集团会长崔泰源共同出席,正式公布10年2000万亿韩元(约1.3万亿美元)本土投资计划。三星与SK海力士各投约600万亿韩元,在光州原空军基地分别建设4-5座前道晶圆厂——规模远超此前京畿道龙仁集群。这不是企业发布,是国家产业意志的集中释放。

6月19日:李在明总统会见SK集团会长崔泰源,商讨地方投资——逐一约谈每一家有能力向非首都圈投资的企业掌门人。

6月25日:李在镕入青瓦台,当面传达投资蓝图;总统政策室长金容范公开确认"讨论进入收尾阶段"。

6月29日:青瓦台会议正式召开,李在镕与崔泰源联合公布2000万亿韩元计划——半导体领域各投600万亿,锁定光州原空军基地为晶圆厂选址。

10天内,韩国政治机器全速运转——从总统逐一约谈,到财阀掌门人入府汇报,再到国家元首亲自背书的历史性投资发布。投向光州的半导体1200万亿韩元,是韩国产业史上最大规模的单次产能布局。

二、2000万亿韩元的构成:1200万亿半导体锁定光州

2000万亿中,半导体领域合计约1200万亿韩元——三星电子与SK海力士各投约600万亿,在光州原空军基地分别建设4-5座前道晶圆厂,规模远超此前被视为韩国半导体未来的京畿道龙仁集群。剩余约800万亿涵盖现有产能扩张及其他产业投资。

光州-全罗南道这片西南部地区以汽车制造和AI研发为主,此前几乎没有半导体制造基础。两大存储巨头同时在此落子,驱动力不是产业链集聚的经济理性,而是李在明政府"五极三特"国家均衡发展战略的政治诉求。半导体产能从首尔圈向西南部的转移,是一次由国家意志主导的产业地理重构。

媒体广泛引用的"投资相当于韩国GDP一半"存在口径混淆:韩国年度GDP约2400万亿韩元(流量),2000万亿为10年累计——年均200万亿约占GDP的8.3%,这才是合理对比。

三星电子年度CAPEX趋势(2019-2026E,万亿韩元)

数据来源:三星电子历年年报及季报(2019-2025为实际披露数据,2026E为公司Q1季报指引)

三、西南部的三重瓶颈

一座先进DRAM工厂日耗水5至10万吨,8至10座晶圆厂意味着日耗水峰值可达百万吨级——约等于一个百万人口城市的日用水量。稳定的电力、高纯度化学品管路、就近设备维护、上万名半导体工程师——这些在平泽和龙仁唾手可得的条件,在光州-全罗南道几乎需要从零搭建。

瓶颈一
水电供应
8-10座晶圆厂日耗水峰值可达百万吨,电力需求相当于一个中型城市。光州现有基础设施能否支撑——公开信息中无据可查。
瓶颈二
人才储备
上万名半导体工程师从哪里来?光州定位"AI中心都市",产业方向以AI研发和传统制造为主,非半导体制造,人才缺口极大。
瓶颈三
供应链配套
高纯度化学品管路、就近设备维护体系——平泽/龙仁数十年积累的配套生态,在西南部需从零搭建。

一个可参照的历史案例是韩国世宗市行政搬迁——2012年启动至今,产业集聚目标未完全兑现,仍以政府机构为主。政府主导的产业疏解与市场自发形成的产业集群,在效率上存在不可忽视的差距。从宣布到投产之间,至少横亘着5至10年的基础设施周期。

光州-全罗南道300万亿芯片集群落地的三重瓶颈:水电供应、人才储备、供应链配套,以及韩国世宗市产业疏解先例对比,5至10年基础设施周期示意
▲ 光州-全罗南道芯片集群落地三重约束:水电/人才/供应链从零搭建,世宗市先例佐证政府主导产业疏解的效率差距

四、周期的利润撑不住10年的线性外推

三星2026年Q1半导体(DS)部门单季营业利润53.7万亿韩元,同比暴增4782%。但任何经历过完整存储周期的人,都会对"线性外推"保持警惕——2023年,三星DS部门全年亏损14.9万亿韩元。从亏损近15万亿到单季盈利近54万亿,仅用两年。

三星DS部门营业利润波动(万亿韩元,2021-2026Q1)

数据来源:三星电子年报/季报

DRAM合约价从2025年5月的1.25美元涨至2026年4月的10.00美元,8倍涨幅佐证当前处于超级上行阶段。历史上存储上行周期通常持续18至24个月——目前已运行约9至12个月。

DRAM合约价走势(DDR4 4GB,美元,2025年5月至2026年4月)

数据来源:iFind金融数据库
据市场预期(非公司官方指引,含E标注),三星2026E全年营业利润可达约550万亿韩元。这是2025年实际值43.6万亿的约12.6倍——极度依赖当前存储价格高位维持的假设。在周期顶部做10年线性承诺,只要周期下行,年均200万亿韩元的投资节奏就可能面临资金缺口。

五、三重约束下的落地可行性

将前述基础设施瓶颈与周期利润约束放在一起审视,三星+SK海力士合计8-10座光州晶圆厂从纸面蓝图到实质落地,需要同时满足三个条件:基础设施到位、资金持续供给、政治意志不转向。三者缺一不可。

约束一
基础设施周期
水电、人才、供应链配套从零搭建至少5至10年。世宗市先例表明,政府主导的产业疏解速度远低于市场自发集聚。
约束二
存储周期拐点
DRAM合约价8倍涨幅已运行约12个月,逼近历史周期上限(18至24个月)。价格一旦回落,DS部门利润可能从峰值急速收缩。
约束三
政治更迭风险
韩国总统任期5年,李在明本届至2029年。10年投资计划跨越至少两届政府,继任者对"五极三特"均衡战略的态度存在不确定性。
综合判断:平泽、龙仁等既有集群的产能扩张落地确定性较高,属于存量延续。光州-全罗南道1200万亿韩元半导体部分,虽已从"考虑"升级为青瓦台正式公布,但从宣布到实质开工,中间仍横亘着基础设施、周期波动、政治更迭三重约束,落地节奏和规模均存在不确定性。两家巨头同时落地同一地区,对水电和人才的叠加需求也将指数级放大——从宣布到首座晶圆厂投产,每一步都需数年量级的缓冲。

六、三星+SK海力士扩产,A股谁能接住订单

三星与SK海力士韩国本土工厂的设备采购,长期由美国应用材料、泛林和日本东京电子主导。这一格局源于数十年的工艺磨合和认证体系,中国设备厂商突破壁垒的难度,远高于进入两家企业在中国的工厂。但光州8-10座新晶圆厂意味着设备需求翻倍,为国产设备导入提供了更大的潜在窗口。

HBM市场份额对比(2025Q3 vs 2026Q1)

数据来源:Counterpoint Research

A股十余只"HBM概念"标的中,赛腾股份(603283)通过并购日本OPTIMA,其HBM缺陷检测设备已批量交付三星。中微公司(688012)的HBM刻蚀、CVD设备正推进客户导入,拓荆科技(688072)的C2W混合键合设备也已出货国内客户。香农芯创(300475)是SK海力士HBM分销商,间接受益于韩国扩产周期。

A股HBM/存储芯片核心相关标的
01
已供货
HBM缺陷检测设备批量交付三星
毛利率43.7%
02
潜在
HBM刻蚀/CVD设备,国内客户为主
毛利率39.9%
03
已出货
C2W混合键合设备已出货国内客户
毛利率41.7%
04
分销
SK海力士HBM官方分销商,间接受益
ROE 5.7%
05
验证中
HBM封装用环氧塑封料,部分通过验证
验证阶段
06
已量产
XDFOI先进封装,支持HBM封装
已量产
环节位置核心企业(代码)价值分配/利润特征当前状态
上游-检测设备HBM缺陷检测赛腾股份毛利率约43.7%(2026Q1)已批量供货三星
上游-刻蚀/CVD设备HBM工艺设备中微公司毛利率约39.9%(2026Q1)国内客户为主,三星韩国供应的潜在供应商
上游-键合设备C2W混合键合拓荆科技毛利率约41.7%(2026Q1)已出货国内客户
中游-分销HBM代理分销香农芯创ROE约5.7%(2026Q1单季)SK海力士HBM官方分销商
中游-封装材料环氧树脂/填料华海诚科 / 联瑞新材验证/认证阶段部分通过客户验证
下游-先进封装XDFOI封装长电科技已量产支持HBM封装

即便光州8-10座晶圆厂从纸面走向实质开工,设备采购的"第一波红利"大概率仍由美日供应商分享。中国设备厂商进入韩国本土供应链,是一个以年为单位计算的进程。短期A股市场围绕该事件的交易,需要区分"实质订单"与"概念情绪"。

相关基金产品

以下基金产品持仓涉及半导体、存储芯片及HBM产业链核心标的,供投资者参考。

ETF产品(场内)
ETF名称代码十大重仓股(与正文标的重合部分)
半导体ETF(512480) 512480 中微公司、长电科技等
芯片ETF(159995) 159995 中微公司、拓荆科技、长电科技等
场外基金产品
基金名称代码相关重仓股
国泰CES半导体芯片ETF联接A(008281) 008281 中微公司、长电科技、华海诚科等
华夏半导体芯片ETF联接A(008887) 008887 中微公司、拓荆科技等
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